使徒行者

“钼”成300层+NAND必选项机构：沉积设备迎10亿美元增量市场_我的网站

金牌调解

A | 　　当地时间8月23日，半导体行业研究机构SemiAnalysis发文称，NAND闪存制造正从钨转向钼，因为当NAND来到300层以上，钼是必选项。

B | 从“1949”到“2024”，两个重要的时间节点，串联起沧海桑田、翻天覆地的75年。　　SemiAnalysis分析，3D NAND闪存堆叠层数突破300层后，钨字线在电阻、化学兼容性和深孔填充三方面均触及物理极限，钼成为强制替代材料。三星已于2024年量产，美光2025年跟进，SK海力士计划2026年底推出375层钼工艺产品。其估计，钼在NAND总产能中的占比将从2025年的中个位数百分比，增长至2027年的约30%。

C | 　　这是中国共产党带领全国人民实现站起来、富起来、强起来的75年。　　这是勤劳质朴的抚顺广大干部群众锐意进取、奋勇拼搏、不断谱写高质量发展新篇章的75年。　　更进一步的，该机构提出，钼沉积设备将在明年迎来超10亿美元的新增市场。　　新中国成立75年以来，我市广大干部群众鼓足干劲，迎难而上，矢志创新，锐意改革，在抚顺大地谱写了自强不息的奋斗诗篇。

D | 75年来，全市人民坚定不移地听党话、感党恩、跟党走，在党的坚强领导下，积极投身社会主义革命、建设和改革开放伟大实践，书写了感天动地的奋斗史诗，创造了改天换地的辉煌成就。

E | 　　这是抚顺经济持续发展、综合实力不断提升的75年。　　该机构称，每一次从钨到钼的转换，都意味着需要新的沉积设备。　　这是抚顺不断深化改革、高水平对外开放的75年。SemiAnalysis估计，仅2027年一年，NAND钼沉积设备的销售额就将超过10亿美元，并随着DRAM和逻辑芯片的跟进，到2030年增长至约20亿美元/年。　　受益格局方面，Lam Research（泛林集团）最先获益，TEL（东京电子）紧随其后；AMAT（应用材料）、ASMI（ASM国际）及Naura（北方华创）则更多受益于后续DRAM和逻辑芯片的转型浪潮。SemiAnalysis表示，完整的细分市场层面测算已纳入其前道设备（WFE）模型。　　钼渗透率在高层数NAND中提升，本质是为延续NAND单位Bit成本下降曲线。　　这是抚顺人民获得感、幸福感与日俱增的75年。　　300层NAND主要在结构上升级，聚焦超高深宽比通道孔刻蚀、多次Stack堆叠、晶圆翘曲控制以及Overlay精度控制。

F | 　　党的十八大以来，在习近平新时代中国特色社会主义思想的光辉指引下，我市广大干部群众满怀豪情迈进新征程、奋进新时代，推动各项事业取得历史性成就、发生历史性变革，全市综合实力持续增强，经济总量持续增长，产业结构进一步优化，经济社会面貌焕然一新，综合实力实现历史性跨越。　　今年以来，抚顺全面落实稳中求进、以进促稳、先立后破的要求，统筹推进扩大内需和优化供给，夯实“稳”的基础、激发“进”的动能、提高“立”的质效。　　375层乃至400层以后，材料亟需升级，因钨字线会因为字线间距通道孔缩小面临RC延迟快速恶化、WF残氟导致介质损伤、漏电失效率提升以及填充缺陷放大的问题。　　●重点围绕全省10个万亿的目标，聚焦固投、一般公共预算收入、社零额、规上工业增加值四个主要经济指标，全力推动经济发展质量更高、增速更快、总量更大；　　●培育发展新动能，深入实施创新驱动发展战略，以科技创新引领现代化产业体系建设；　　●推动产业转型升级，持续做好结构调整“三篇大文章”，推动优势产业延链、传统产业升链、短板产业补链、新兴产业建链，全面提升产业竞争力；　　●保障国家粮食安全，积极探索发展现代化大农业，扎实推动农业产业融合发展；　　●深化改革开放，坚持用改革的办法、开放的举措解决前进中的问题，为高质量发展持续注入强大动力；　　●防范化解重点领域风险，全面贯彻总体国家安全观，严密防范可能影响全局的重大现实风险；　　●坚持绿色低碳发展，统筹推动西露天矿综合治理与整合利用，持续深入打好蓝天、碧水、净土保卫战，强化大伙房饮用水水源地保护，以中央生态环境保护督察反馈问题整改为重点，不断巩固提升抚顺生态环境质量；　　●不断增进民生福祉，坚持尽力而为、量力而行，兜住、兜准、兜牢民生底线，解决好人民群众急难愁盼问题。　　十一前夕，市统计局、国家统计局抚顺调查队联合发布的一系列数据令人振奋，见证了新中国成立75周年抚顺经济社会发展所取得的历史性变化和辉煌成就。　　忆往昔，七十五载砥砺前行；向未来，抚顺上下同心奋进。

G | 　　展望未来，全市人民将更加紧密地团结在以习近平同志为核心的党中央周围，在推进中国式现代化进程中找准定位、明确方向，守底线、稳支撑、增动力、上台阶，持续推动经济实现质的有效提升和量的合理增长，全力推进中国式现代化抚顺实践，在新征程上谱写新篇章、创造新辉煌。

H | 责任编辑：李丹。而钼凭借更低电阻率、无氟前驱体及无需阻隔层等优势，有望改善RC性能与器件可靠性，为字线和存储孔缩放提供工艺余量，从而延续高层数NAND的成本下降曲线。　　中银证券表示，SK海力士已完成375层3D NAND生产验证并计划2026年底量产，拟采用钼材料替代钨制作字线，继三星在286层第九代3D NAND中率先导入钼工艺后，两大存储龙头相继切换，钼替代钨趋势确立。　　然而，钼的材料加工更为复杂，因为必须以气体形式输送，且前驱物在室温下为固体，需要加热器以确保流动稳定性。

I | 　　基于此，300层以上3D NAND字线由钨切换为钼，并不是简单更换靶材或者更换气体材料，而是前驱体供给、ALD沉积腔体、刻蚀、清洗、尾气处理整套工艺链条的重构，原有钨CVD产线硬件无法直接复用，将直接推动晶圆厂资本开支上行，同时设备、特种材料、零部件均迎来变化。　　爱建证券表示，钼导入本质是一次全流程工艺重构，设备链受益有望沿“沉积及前驱体输送→CMP及清洗→刻蚀→量检测”路径传导，工艺难点由沉积向后处理环节延伸。其中——　　沉积：成熟的WF钨工艺，Mo沉积需重新建立高深宽比结构下的填充与缺陷控制工艺窗口，同时有望减少阻隔层使用，带动沉积设备及配套工艺升级；　　输送：Mo前驱体通常采用低挥发性固态源，与传统WF气态前驱体体系差异较大，需要新增气化装置、温控管路及精密供气系统，以保障前驱体稳定输送；　　CMP：Mo材料的氧化及表面化学特性不同于传统金属体系，需重新开发CMP研磨液和研磨垫，以满足平坦化、去除速率及缺陷控制要求；　　清洗：Mo导入后残留物及氧化物体系发生变化，高深宽比结构下金属残留和污染控制难度提升，有望推动相关湿法清洗设备及配套化学品验证导入；　　刻蚀环节则需重新建立适配钼材料的工艺窗口，且3DNAND层数持续提升下，刻蚀选择性、侧壁形貌控制及层间均匀性要求进一步提高，有望带动相关刻蚀设备升级需求；　　量检测：Mo量产还需新增膜厚均匀性、填充缺陷、金属残留及电学可靠性等监控项目，有望带动薄膜量测、缺陷检测及电性测试等设备需求增长。　　该机构称，NAND工艺迭代核心从单纯堆叠层数转向材料—设备—工艺协同创新，新材料导入将持续催生沉积、刻蚀、清洗等关键设备迭代升级，Mo字线导入将推动沉积、刻蚀、清洗等关键环节工艺升级，相关设备及零部件厂商有望受益。（文章来源：科创板日报）。